Auto self refresh что это

Auto Self Refresh (ASR) поддерживается что это?

Приветствую друзья! Сегодня мы поговорим про технологию, которую можно встретить в планках оперативной памяти.

Auto Self Refresh (ASR) — что это?

Поддержка энергосберегающего режима. В простое меньше кушает энергии.

Но на самом деле экономия минимальная, ватта нет и близко — милливатты. Поэтому если поддерживает планка то хорошо, а если нет то совсем некритично.

Не все производители памяти поддерживают эту функцию, например Kingston — поддерживает, а Elpida — нет.

Другая версия — Auto Self Refresh это частота регенерации памяти, то есть обновление заряда ячеек. Чем меньше значение, тем устойчивее работает память (данные не теряет), но чуть медленнее, чем при больших значения. Возможно эта версия относится к опции в биосе (если существует вообще).

Поддерживается опция или нет можно проверить программно, например в AIDA64:

Partial Array Self Refresh (PASR) — что это?

Технология частичной регенерации памяти, обеспечивающая снижение мощности, которая потребляется планкой памяти в режиме автономной регенерации при отсутствии операций чтения и записи.

Технология позволяет уменьшить скорость разряда аккумулятора уснувшей платформы (как понимаю имеется ввиду спящий режим).

Так в чем заключается суть технологии? Технология интеллектуально анализирует данные, которые сохранены в памяти с последующим выделением тех данных, которые должны быть сохранены. Если обьем этих данных намного меньше обьема запоминающей матрицы DRAM, тогда можно выполнить регенерацию памяти частично, сэкономив при этом потребление.

Заключение

Auto Self Refresh (ASR) — поддержка энергосберегающего режима.

Когда будете покупать оперативную память, то можете спросить еще совместима ли планка с поддержкой Auto Self Refresh с обычными планками. Однако, мне кажется что да, так как эта технология — лично планки памяти, не материнки, а именно планки.

Выбор оперативки на ноут

Author24 — интернет-сервис помощи студентам

Свойства модуля памяти:
Имя модуля A-Data AD73I1C1674EV
Серийный номер 982D0600h (404888)
Дата выпуска Неделя 29 / 2012
Размер модуля 4 ГБ (2 ranks, 8 banks)
Тип модуля SO-DIMM
Тип памяти DDR3 SDRAM
Скорость памяти DDR3-1333 (667 МГц)
Ширина модуля 64 bit
Напряжение модуля 1.5 V
Метод обнаружения ошибок Нет
Частота регенерации Норма (7.8 us)

Тайминги памяти:
@ 666 МГц 9-9-9-24 (CL-RCD-RP-RAS) / 33-107-4-10-5-5-20 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 609 МГц 8-8-8-22 (CL-RCD-RP-RAS) / 30-98-4-10-5-5-19 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 533 МГц 7-7-7-20 (CL-RCD-RP-RAS) / 27-86-4-8-4-4-16 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 457 МГц 6-6-6-17 (CL-RCD-RP-RAS) / 23-74-3-7-4-4-14 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 380 МГц 5-5-5-14 (CL-RCD-RP-RAS) / 19-61-3-6-3-3-12 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)

Функции модуля памяти:
Auto Self Refresh (ASR) Поддерживается
DLL-Off Mode Поддерживается
Extended Temperature Range Поддерживается
Extended Temperature Refresh Rate Не поддерживается
On-Die Thermal Sensor Readout (ODTS) Не поддерживается
Partial Array Self Refresh (PASR) Не поддерживается
RZQ/6 Поддерживается
RZQ/7 Поддерживается

2.
[ DIMM3: Nanya NT2GC64B88G0NS-CG ]

Свойства модуля памяти:
Имя модуля Nanya NT2GC64B88G0NS-CG
Серийный номер 57CA0C0Dh (218942039)
Дата выпуска Неделя 14 / 2012
Размер модуля 2 ГБ (1 rank, 8 banks)
Тип модуля SO-DIMM
Тип памяти DDR3 SDRAM
Скорость памяти DDR3-1333 (667 МГц)
Ширина модуля 64 bit
Напряжение модуля 1.5 V
Метод обнаружения ошибок Нет
Частота регенерации Норма (7.8 us)
Производитель DRAM Nanya

Хочу поставить себе два модуля по 8 Г чтобы в сцмме было 16
вопрос подойдут ли ноуту вот эти

или может что другое посоветуете, я не до конца пойму момент с частотой

auto self refresh что это

Ответ от ScAnMaG[гуру]
Конструкция и внешний вид — пофиг, нужно, чтобы совпадали:
Поколение (DDR3, DDR4)
Частота в МГц (желательно, ибо разные запустятся, на наименьшей частоте)
Вольтаж (желательно)
Тайминги 30-95-4-9-5-5-18 (желательно)
ScAnMaG
Мыслитель
(7247)
Ну так норм

Ответ от Никита Вариводин[гуру]
Кааароче. Мне лень читать но если тип памяти подходит и то заебись все. И еще все планки которые стоят желательно должны быть из одного набора

Оперативная память

Вы используете устаревший браузер. Этот и другие сайты могут отображаться в нём некорректно.
Вам необходимо обновить браузер или попробовать использовать другой.

Slivshik

Известный

Автор темы

Всем привет.
Купил и установил доп модуль памяти на 8 гб, стояло уже 4. Все характеристики одни, кроме объёма. Знаю, что желательно надо бы одного объёма ставить, но купил уже.

Проблема в том, что ноутбук не использует всю память, либо может использует, но я не понял как это. Вообщем по скринам поймёте думаю.

DIMM1: Samsung M471B5173DB0-YK0 — родная

Поле Значение
Свойства модуля памяти
Имя модуля Samsung M471B5173DB0-YK0
Серийный номер 18494D72h (1917667608)
Дата выпуска Неделя 43 / 2014
Размер модуля 4 ГБ (1 rank, 8 banks)
Тип модуля SO-DIMM
Тип памяти DDR3 SDRAM
Скорость памяти DDR3-1600 (800 МГц)
Ширина модуля 64 bit
Напряжение модуля 1.35 V / 1.5 V
Метод обнаружения ошибок Нет
Частота регенерации Норма (7.8 us)
Производитель DRAM Samsung

Тайминги памяти
@ 800 МГц 11-11-11-28 (CL-RCD-RP-RAS) / 39-208-5-12-6-6-24 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 761 МГц 10-10-10-27 (CL-RCD-RP-RAS) / 37-199-5-12-6-6-23 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 685 МГц 9-9-9-24 (CL-RCD-RP-RAS) / 33-179-5-11-6-6-21 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 609 МГц 8-8-8-22 (CL-RCD-RP-RAS) / 30-159-4-10-5-5-19 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 533 МГц 7-7-7-19 (CL-RCD-RP-RAS) / 26-139-4-8-4-4-16 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 457 МГц 6-6-6-16 (CL-RCD-RP-RAS) / 22-119-3-7-4-4-14 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 380 МГц 5-5-5-14 (CL-RCD-RP-RAS) / 19-100-3-6-3-3-12 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)

Функции модуля памяти
Auto Self Refresh (ASR) Не поддерживается
DLL-Off Mode Поддерживается
Extended Temperature Range Поддерживается
Extended Temperature 1X Refresh Rate Не поддерживается
Module Thermal Sensor Не поддерживается
On-Die Thermal Sensor Readout (ODTS) Не поддерживается
Partial Array Self Refresh (PASR) Не поддерживается
RZQ/6 Поддерживается
RZQ/7 Поддерживается

DIMM3: AMD R538G1601S2S — поставил

Поле Значение
Свойства модуля памяти
Имя модуля AMD R538G1601S2S
Серийный номер Нет
Размер модуля 8 ГБ (2 ranks, 8 banks)
Тип модуля SO-DIMM
Тип памяти DDR3 SDRAM
Скорость памяти DDR3-1600 (800 МГц)
Ширина модуля 64 bit
Напряжение модуля 1.5 V
Метод обнаружения ошибок Нет
Частота регенерации Норма (7.8 us)
Производитель DRAM AMD

Тайминги памяти
@ 800 МГц 11-11-11-28 (CL-RCD-RP-RAS) / 39-240-5-12-6-6-24 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 761 МГц 10-10-10-27 (CL-RCD-RP-RAS) / 37-229-5-12-6-6-23 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 685 МГц 9-9-9-24 (CL-RCD-RP-RAS) / 33-206-5-11-6-6-21 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 609 МГц 8-8-8-22 (CL-RCD-RP-RAS) / 30-183-4-10-5-5-19 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 533 МГц 7-7-7-19 (CL-RCD-RP-RAS) / 26-160-4-8-4-4-16 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 457 МГц 6-6-6-16 (CL-RCD-RP-RAS) / 22-138-3-7-4-4-14 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)
@ 380 МГц 5-5-5-14 (CL-RCD-RP-RAS) / 19-115-3-6-3-3-12 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP-FAW)

Функции модуля памяти
Auto Self Refresh (ASR) Не поддерживается
DLL-Off Mode Поддерживается
Extended Temperature Range Поддерживается
Extended Temperature 1X Refresh Rate Не поддерживается
Module Thermal Sensor Не поддерживается
On-Die Thermal Sensor Readout (ODTS) Не поддерживается
Partial Array Self Refresh (PASR) Поддерживается
RZQ/6 Поддерживается
RZQ/7 Поддерживается

В диспетчере задач отображается Память

Скорость: 1600 МГц
Использовано гнезд: 1 из 2
Форм-фактор: SODIMM
Зарезервировано аппаратно: 80,6 МБ

Доступно 1,4 ГБ
Кэшировано 1,3 ГБ
Выделено 3,1/8,4 ГБ
Выгружаемый пул 150 МБ
Невыгружаемый пул 147 МБ
Используется (сжатая) 2,5 ГБ (69,9 МБ)
Жирным выделил.

НО в CPU-Z есть все эти 12 ГБ памяти. В итоге, в дисп.задач стоит 4гб, комп видит второй модуль, но хрен пойми как оно работает. Может дело в одно и двуканальном режиме? Гуглил, но не понял. Комп будет использовать 2 модуль или нет?