Сравнительное тестирование 12 модулей DDR400
«Не может этого быть» — подумал я, запуская в очередной раз тест памяти. «Это слишком высокая частота, сейчас будет уйма ошибок». Но модули памяти не разделяли мой скептицизм и продолжали работать, как ни в чем не бывало. Тестирование, обещавшее стать рутинной проверкой, неожиданно превратилось в увлекательную игру, главная роль в которой была отведена мне.
Впрочем, начиналась эта история буднично. Зайдя в компьютерный магазин, я стал свидетелем разговора: покупатель попросил консультанта объяснить, чем память Kingston на чипах Hynix лучше «обычной» Hynix, и не лучше ли взять Samsung. Консультант рассказал про гарантию, про упаковку и тщательный контроль качества на фабриках Kingston и покупатель ушел, полностью удовлетворившись ответом. Но меня этот вопрос заинтересовал, и я решил выяснить, чем же на самом деле отличаются модули DDR400 разных производителей.
Сначала хотелось бы разобраться с характеристиками. Международная организация JEDEC, занимающаяся разработкой стандартов на электронные устройства, уже давно обозначила верхний предел для модулей стандарта DDR — PC3200. За этой чертой простирается территория дорогой и престижной DDR2. Безусловно, новый тип памяти обладает рядом преимуществ, в чем мы уже успели убедиться, протестировав Corsair DDR2-538 XMS2 и Corsair DDR2-675 XMS2, но при всех своих плюсах эта память обладает одним существенным минусом — высокой ценой, которая делает ее недоступной для обычного пользователя.
Большинство пользователей, прочитав статьи про DDR2, поразятся ее частотному потенциалу, и согласятся, что за этой памятью будущее. Но, придя в магазин, все равно остановят свой выбор на DDR400, ибо именно эти модули представляют собой современный mainstream-срез рынка памяти. Они не хватают звезд с неба, не бьют рекордов, но зато работают стабильно на «номинале», обладают разгонным потенциалом и при этом стоят недорого. Обычному пользователю этого будет достаточно. Мы же исследуем разгонный потенциал наиболее популярных модулей DDR400.
Впрочем, уже неоднократно говорилось, что «не все модули одинаково полезны», поэтому нужно учесть, что даже совпадение маркировки не гарантирует совпадение разгонного потенциала. То есть никто не гарантирует, что даже абсолютно идентичный модуль покажет такие же результаты. Ибо не бывает бочки меда без ложки дегтя и стада без паршивой овцы.
- Материнская плата — ASUS A8N-SLI, BIOS 1005.002
- Процессор — AMD Athlon 64 3000+ (Winchester) 1.8Ghz, 1.4v, S939
- Блок питания — Macropower MP-360AR
- Кулер — Zalman CNPS7000A-Cu
Из-за особенностей работы ASUS A8N-SLI с памятью, параметр 1Т/2Т Timing был выставлен в положение 2Т и в процессе тестирования не изменялся. Напряжение на память выставлялось 2,8 В и 3,0 В, но разница в частотном потенциале уложилась в погрешность измерений, потому на диаграммах указывать мы будем лишь одно значение. Для того чтобы процессор не мешал разгону, его множитель был понижен до 8. Проверка стабильности осуществлялась при помощи утилиты Memtest86+ v1.55.
Начать проверку было решено с модулей производства Apacer, и этому есть как минимум две причины. Во-первых, с продукцией данной фирмы мы пока не сталкивались, а во-вторых, если расположить модули по алфавиту в соответствии с названиями фирм-производителей, то именно модули Apacer окажутся в этом списке под первым номером.
Модули ничем особым не выделяются, за исключением надписи на этикетке, сообщающей о том, что память гарантированно работает как PC3200 с CL2.5. Это приятно, так как обычно производители недорогих модулей записывают в SPD значение CL=3, из-за чего пользователи, эксплуатирующие память в номинальном режиме, оказываются в проигрыше по сравнению с теми, кто настраивает память вручную.
Судя по маркировке, чипы были произведены на 8 неделе 2005 года, что примерно соответствует концу февраля. Полностью расшифровать маркировку «AM3A5608BQT — 5A» так и не удалось: производитель по каким-то причинам не предоставляет подобную информацию. Да и на странице с описанием памяти находятся лишь общие сведения.
Посмотрим, что же записано в SPD этих модулей:
Информация на этикетке не обманула: в SPD для частоты 200 МГц действительно указано значение CL2.5 Правда, остальные параметры такого восторга не вызывают: заявленные значения RAS# to CAS# и RAS# Precharge довольно высоки. Впрочем, судить по этим параметрам о разгонном потенциале нельзя. На что способна данная память в действительности мы сейчас и выясним.
Разгонный потенциал модулей не поразил воображения, ведь подсознательно мы ожидали большего, так как они — одни из самых дорогих в нашем сегодняшнем тестировании (около $53 за модуль на конец апреля 2005). Неужели остальные окажутся еще хуже?
Чтобы выяснить, так ли это, мы решили проверить пару модулей производства Hynix.
Они весьма отличаются от предыдущих модулей. Во-первых, они односторонние, то есть все 8 чипов памяти расположены с одной стороны печатной платы. Во-вторых, здесь мы видим толстопленочные резисторы, тогда как на всех остальных модулях резисторы согласования с шиной выполнены в виде дискретных компонентов. Практика показывает, что с ними частотный потенциал обычно несколько выше, но их применение усложняет и делает более дорогим производство.
Маркировка чипов говорит о том, что они были произведены позднее: на 13 неделе 2005 года, что соответствует концу марта — началу апреля. На сайте производителя имеется страница, содержащая подробное описание характеристик этих чипов. Судя по этой информации, чипы относятся к DDR400B (3-3-3) и заявлены для работы на частоте 200 МГц с CL3.
Параметры, записанные в SPD, оптимизма не внушают: значение CL = 2.5 доступно на частоте 166 МГц, а CL2 вообще лишь на 133 МГц. Проверим, являются ли такие значения таймингов излишней перестраховкой.
Как мы видим, производитель памяти явно поскромничал, записав в SPD столь большие значения: модулям покорилась частота 214 МГц с таймингами 2.0-3-3-6. Пределом же оказалась частота 235 МГц, что является довольно хорошим результатом. Хочется лишь добавить, что цена на данные модули относительно невысока (около $48 на конец апреля 2005).
Впрочем, не стоит забывать о довольно популярных «безымянных» модулях. Чем они привлекают своих покупателей? Ответ на данный вопрос очевиден: низкой ценой. Мы же постараемся выяснить, какие еще плюсы есть у подобных модулей. Итак, встречайте:
Честно признаюсь, я не ожидал, что «безымянным» окажется модуль, производитель которого нанес свое имя даже на чипы.
К сожалению, расшифровать маркировку также не удалось, но расстроило это не сильно, ведь важно не то, как тебя зовут, а что ты умеешь! Поэтому не будем задерживаться и пойдем дальше, отметив, что чипы произведены на 11 неделе 2005 года (середина марта).
Тайминги, записанные в SPD, чуть выше тех, что мы видели у Hynix, но тем интереснее будет выяснить разгонный потенциал этих модулей.
Проверка показала, что нам, по всей видимости, попались бракованные модули: они не работали с теми параметрами, которые были записаны в SPD. В этом-то и заключается основной минус подобной «безымянной» памяти: если повезет — модуль будет радовать пользователя стабильной работой еще долгие годы, а если не повезет — не сможет работать даже на номинале. Судя по информации на форумах, брак среди модулей NCP встречается довольно часто, поэтому данная память — не лучший выбор, тем более что стоит она всего лишь на $2 дешевле изделий Hynix. Как говорится, разочарование от низкого качества длится дольше, чем радость от низкой цены.
Теперь от самых дешевых перейдем к самым дорогим модулям нашего сегодняшнего обзора. Ими оказались модули Kingston KVR.
Эти модули, также как и Hynix, являются односторонними, но мы видим, что резисторы выполнены в виде дискретных компонентов.
Чипы памяти также оказались аналогичными тем, что мы видели у Hynix: HY5DU12822BT-D43, выпущенные на 12 неделе 2005 года. Тайминги, записанные в SPD, также не отличались:
Итак, мы видим, что модули Kingston KVR весьма похожи на Hynix: расположение чипов на PCB, сами чипы и информация, зашитая в SPD, у этих разных модулей практически одинаковы. Посмотрим, будет ли отличаться их разгонный потенциал:
Итак, судя по графику, Kingston превосходит по возможностям обычные модули Hynix лишь при работс с CL=2.5. В остальных же режимах потенциал ниже. Поэтому лично я не вижу причин для того, чтобы переплачивать за имя, когда фактически то же самое можно получить, используя самые обычные модули.
Впрочем, Hynix — это лишь один из полюсов на рынке памяти. Сейчас же мы рассмотрим модули, произведенные извечным конкурентом — Samsung.
Модули, попавшие к нам на тестирование, оказались односторонними: все 8 чипов расположены с «лицевой» стороны платы. На этикетке написано, что память работает как PC3200 с CL3, что не является выдающимся результатом. Рассмотрим теперь сами чипы:
Первая строка говорит о том, что выпущены они на 4 неделе 2005 года. Вторая строка маркировки оканчивается символами «UCCC», но судя по информации с сайта производителя, эти модули ничем не отличаются от TCCC. В процессе поиска была найдена новость, в которой говорится о том, что теперь память производится по 90-нм техпроцессу и в качестве примера приводится фото модулей UCCC. Поэтому можно сделать вывод, что символ U обозначает лишь принадлежность к новому техпроцессу. Посмотрим, что записано в SPD:
Мы видим, что производитель не поленился и ввел все данные, даже Part Number. Тайминги ничем особенным не удивляют, поэтому не будем долго их рассматривать и незамедлительно приступим к проверке.
При CL=2 результаты оказались довольно низкими, но при увеличении CL до 2.5 разгонный потенциал существенно возрос. При максимальных таймингах память не добрала лишь 2 МГц до уровня 250 МГц, что соответствовало бы DDR500.
Но у нас еще есть модели, способные побороться за звание «лучших в сегодняшнем обзоре» — Patriot PSD512400
Мы видим, что эти модули упакованы в пластиковые коробочки, защищающие их при транспортировке. Оформление упаковки традиционное, а основное отличие от дорогих модулей заключается в габаритах упаковки. Сами модули выглядят традиционно:
Похожую PCB мы уже видели сегодня — у модулей Apacer. Заметить их сходство удалось благодаря тому, что здесь также были пронумерованы слои текстолита:
Несмотря на то, что пронумерованных слоев всего 4, в описании сказано, что используется 6-слойная PCB. Рассмотрим теперь сами чипы:
Расшифровку маркировки на сайте производителя найти не удалось, поэтому остается предположить, что цифры 0512 означают дату выпуска (12 неделя 2005 года). Теперь посмотрим, что же записал производитель в SPD:
Здесь мы снова видим сходство с Apacer: тайминги, заявленные для частоты 200 МГц, равны 2.5-4-4-8. Таким образом, производитель гарантирует работу на частоте 200 МГц с CL=2.5, что оценят те, кто использует настройки памяти «by SPD». Теперь же посмотрим, на что способны эти модули в действительности:
Тестируемые модули отказывались стартовать с CL=3 на любых частотах. Но ничего страшного в этом нет, тем более что производителем заявлена лишь возможность работы памяти с CL2.5. Разгонный потенциал находится на среднем уровне, поэтому модули производства Samsung превзойти не удалось.
Впрочем, на этом можно было бы закончить, но в самый последний момент появился еще один участник тестирования — Hynix. Первоначально идея заключалась в том, чтобы сравнить модули с «обычными» резисторами и толстопленочными. Это позволило бы оценить, насколько сильно влияют резисторы на разгонный потенциал.
На фотографии видно, что помимо согласующих резисторов, выполненных в виде «дискретных» компонентов, данные модули отличаются и количеством чипов: здесь их 16 — по восемь с каждой стороны. Но, как оказалось, это были еще не все отличия:
Маркировка чипов оказалась другой: вместо HY5DU12822BT мы видим HY5DU56822DT. Таким образом, узнать эффект от влияния резисторов не представляется возможным. Потому проверку мы продолжили исключительно из спортивного интереса.
Информация, записанная в SPD, ничем не удивила: заявленные тайминги полностью совпали с теми, что мы видели у «обычных» Hynix DDR400.
После сорвавшегося сравнения, проверять эту память особого желания не было. Мысленно я уже говорил себе: «Пускай этот модуль разгонится на 5 МГц хуже, что это докажет? Чипы-то разные», но любопытство все равно одолевало. Чтобы не тратить на проверку слишком много времени, было принято решение просто выставить тайминги 2.5-3-3-6 и оценить предельную частоту. Для начала была выставлена частота 216 МГц, я запустил тест и стал ждать отчета об ошибках…
Тест прошел два раза, но ни одной ошибки найдено не было. Частота была увеличена до 225 МГц, и снова тест показал, что память работала стабильно. Не веря до конца в реальность происходящего, мы подняли частоту до 235 МГц — снова ни одной ошибки. Проверку на 240 МГц запускали с замиранием сердца — ведь таких частот не достиг ни один модуль в нашем обзоре. «Не может этого быть» — говорил я себе. «Это слишком высокая частота, сейчас будет уйма ошибок». Но модули памяти не разделяли мой скептицизм и продолжали работать, как ни в чем не бывало. Тестирование, обещавшее стать рутинной проверкой, неожиданно превратилось в увлекательную игру, главная роль в которой была отведена мне.
Увеличение частоты до 250 МГц также не добавило ошибок — память продолжала работать стабильно, а ведь режим работы уже соответствовал DDR500 с таймингами 2.5-3-3-6.
Лишь только на 260 МГц разгонный потенциал иссяк: после проверки TestMem нашел одну(!) ошибку. Троекратный прогон теста на частоте 259 МГц ошибок не выявил, поэтому можно с уверенностью сказать, что данная память займет первое место по результатам тестирования. Итак, результаты проверки перед вами:
Очень хороший потенциал для модулей за $53, но почему же другие модули на чипах Hynix отстали так сильно? На официальном сайте есть документ, с помощью которого можно расшифровать маркировку чипов памяти, но четкого ответа на вопрос, что же означает таинственная буква D в строке » HY5DU56822DT «, он не дает:
Мы видим, что этот символ отвечает за «поколение» чипов, но буквы D в списке нет. Судя по тому, что литера B соответствует 3 поколению, а С — 4 поколению, можно предположить, что D символизирует 5 поколение.
Для наглядности объединим все полученные данные в диаграмму:
Первое место с довольно большим отрывом занимают модули Hynix на чипах HY5DU56822DT, почетное второе место — модули Samsung. Далее плотной группой финишируют сразу несколько участников: Kingston, Hynix на чипах HY5DU12822BT, Patriot, Apacer и с огромным отставанием последнее место занимают модули производства NCP.
Какие же выводы можно сделать?
Во-первых, хотелось бы отметить разгонный потенциал модулей Hynix на чипах HY5DU56822DT — безусловно, конкурировать с модулями на чипах Samsung TCCD они не в состоянии, но в своем ценовом диапазоне они являются лидерами. Во-вторых, не стоит принимать во внимание результат модулей NCP, так как очевидно, что нам попался брак.
Если же попытаться ответить на вопрос «модули какого производителя лучше?», то можно заметить, что имя производителя — это не самое главное. Гораздо важнее то, на каких чипах сделана память. Именно поэтому «безымянный» Hynix сегодня занимает первое место, а Apacer, Patriot и Kingston соревнуются лишь между собой.
Какое поколение памяти DDR обозначает маркировка DDR400?
Тот, кто хоть немного разбирается в компьютерных комплектующих, знает о том, что оперативная память бывает нескольких типов (поколений): DDR, DDR2, DDR3, DDR4. Практически всегда на модуле памяти присутствует наклейка с маркировкой, по которой можно определить тип ОЗУ, ее частоту и объем. PC2 – означает память DDR2, PC3 – DDR3, PC4 – DDR4. А вот что означает DDR400? Об этом мы и поговорим в данной статье.
DDR-400 что это?
Если вам попался модуль памяти с данной маркировкой, то с уверенностью можно сказать что это DDR первого поколения, тот, который был перед DDR2.
Цифра 400 в названии показывает рабочую частоту планки памяти в мегагерцах. Довольно часто на таких модулях можно встретить маркировку PC-3200. Это говорит о том, что его пропускная способность составляет 3200 мегабайт в секунду.
Присутствие маркировки PC-3200
В зависимости от рабочей частоты и пропускной способности выделяют следующие типы оперативной памяти DDR первого поколения:
| PC-1600 | DDR-200 |
| PC-2100 | DDR-266 |
| PC-2400 | DDR-300 |
| PC-2700 | DDR-333 |
| PC-3200 | DDR-400 |
| PC-3500 | DDR-433 |
| PC-3700 | DDR-466 |
| PC-4000 | DDR-500 |
| PC-4200 | DDR-533 |
| PC-5600 | DDR-700 |
Все это оперативная память DDR первого поколения. Она не совместима с другими типами ОЗУ (DDR2, DDR3, DDR4), так как расположение ключа у них всех разное. Такой модуль физически не войдет в разъем на материнской плате, кроме плат с поддержкой DDR первого поколения.
Разница в расположении ключа на разных поколениях ОЗУ DDR
По состоянию на 2019 год DDR400, как и все поколение DDR1, официально можно считать мертвым. Такая память, так же как и материнские платы с ее поддержкой, давным давно сняты с производства. Она может представлять ценность только для очень старых компьютеров, доживших до наших дней.
Лучшая благодарность автору — репост к себе на страничку:
ОЗУ DDR-400 256МВ это DDR2 или DDR1?
хотел поставить сверху еще 256 МВ, но не могу определить тип ОЗУ. у меня на данный момент установлен DDR2 1Gb.
Лучший ответ
Это просто DDR. Они бывают DDR 400 МГц (PC-3200), 333 МГц (PC-2700), 266 МГц (PC-2100).
Ну а DDR2 идут уже 667 МГц (PC-5300), 800 МГц (PC-6400), 1066 МГц (PC-8500).
DDR и DDR2 вместе не смогут работать.
Остальные ответы
конечно DDR1 они не могут в паре работать
старушка DDR))))))
Ето DDR 1.
DDR2 и DDR 1 не могут работать вместе.
DDR1 ну или просто DDR
DDR400(3) ЧТО ЭТО простите полный профан
Сам видел платы где стоят пара DDR и DDR2 на одной плате, так, что не дезинформируйте, покапайтест в инете прежде чем говорить, что вместе не работают, просто частота будет как у DDR
Сергей!! Простите, что. Как блин могут работать две абсолютно разные планки RAM. Это не возможно в принципе! Т. к. они отличаются физически, по количеству контактов и размещением ключа. Если вы не знаете лучше не советовать людям и не вводить их в заблуждение!
Поддержу некропостинг 🙂
Незнаю как сергей, но лично я не видел Материнки с поддержкой двух типов памяти DDR1 + DDR2, но язнаю материнки с поддержкой двух типов памяти DDR2 + DDR3 (ASUS P5QC).
Плюс ко всему, есть память DDR2 400 допустим такая Kingston KVR400D2S4R3/2G DDR2 2GB DIMM. Так что надо смотреть на маркировку памяти и спецификацию материнской, что бы выбирать что подойдет.
это DDR1, по разьему шины неподойдет, есть гибридные платы ddr1+ddr2 обычно по 2 шины на каждый тип, но работать может только либо планочки воткнутые ддр1 или только вставленные ддр2, сразу обе функционировать небудут.
Внесу свой вклад в холивар. Да, есть (и были) материнки с разъемами под различный тип памяти. НО! В паре они не работают. Либо то, либо другое. Т. ж. разные типы DDR отличаются количеством контактов и расположением прорезей, поэтому они физически никак не встанут в неродное гнездо.
ддр1 продаже бывают типер
4 месяца прошло, а некропостинга не было давно. Бред про то, что вместе они работать не будут, потому что якобы не влезут «разные типы DDR отличаются количеством контактов и расположением прорезей, поэтому они физически никак не встанут в неродное гнездо.».
В матери могут быть слоты под ddr1+ddr2, вся память в системе будет отображаться, но вся память будет работать на меньшей скорости т. е как ddr1. Если вытащить все планки ddr1, оставить только ddr2 — память, естественно, будет работать с тактовой частотой ddr2
Здесь пишут, что DDR и DDR2 не работают вместе. И эти люди не правы. Если мать поддерживает двухканальный режим, например, то в один канал ставим DDR, а в другой DDR2. Проблем не возникнет, если взять планки с одинаковой частотой на каждый канал.
Оперативная память DDR3 и DDR4 Vixion
Оперативная память, которую еще называют оперативное запоминающее устройство или ОЗУ, позволяет сохранять любые данные программ или действия на электронном устройстве (компьютере, ноутбуке, нетбуке) для быстрого доступа к ним. DDR (Double Data Rate) — в переводе «двойная скорость передачи данных», отличается от обычной SDRAM тем, что на той же частоте имеет вдвое большую пропускную способность, т.е. скорость. За аббревиатурой DDR обычно следует цифра, которая обозначает поколение оперативной памяти. DDR — первое поколение данного вида памяти, применялось в видеоплатах и на чипсетах, работа осуществлялась на частотах от 200 до 400 Мгц. Сегодня такой вид памяти устарел и в современных компьютерах не используется. DDR2 — появился в 2004 году, был более выносливым, чем еще предшественник, а передача данных могла составлять 1200 МГц. В третьем поколении, в DDR3, уже удвоилась производительность и снизилось энергопотребление. Данный вид памяти активно применяется в среднебюджетных компьютерах. Работает на частотах до 2400 МГц. С 2014 года началось массовое производство нового поколение ОЗУ — DDR4. Данный тип памяти уже работает на частоте до 3200 МГц. Основными преимуществами вида следует выделить его значительно увеличенную скорость и надежность работы. Четверное поколение активно используется как на дорогих и флагманских моделях ПК, так и на более бюджетных.
Особенности DDR3 и DDR4
Чтобы правильно выбрать ОЗУ необходимо понять, где вы будете использовать оперативную память: в компьютере, ноутбуке, нетбуке. Например, модули DIMM подойдут для персональных компьютеров, а вот SODIMM для ноутбуков, нетбуков, а иногда и для планшетов. Они очень похожи, но отличаются размером. SODIMM и DIMM — это не тип памяти, а тип разъема памяти. Существенным отличием между DDR4 и DDR3 является то, что DDR4 функционирует на более низком напряжении 1.2 В, что позволяет снизить расход энергии, это важное преимущество для автономных электронных устройств, например ноутбуков. Отличаются типы и количеством контактов, у DDR3 240 пин, а у DDR4 288. Увеличение числа контактов сделано ради возможности адресации как можно большего количества памяти.
Среди основных характеристик ОЗУ следует обратить внимание на тайминг задержки, который выглядит, например, так: 11-11-11-28. Чем ниже показатель тайминга, тем выше скорость оперативной памяти.
DDR3 и DDR4 Vixion
В ассортименте компании Vixion представлены типы оперативной памяти третьего и четверного поколения как для персональных компьютеров, так и для ноутбуков. Модули памяти имеют объёмы от 4 до 16 ГБ, с частотами от 1600 до 3200 МГц. ОЗУ Vixion энергоэкономичны, работают с потреблением от 1,2 до 1,35V. DDR3 — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, тип 3 пришла на смену памяти DDR2. Такие модули применяются не только в персональных компьютерах и ноутбуках, но и для видео памяти. DDR3 имеет более высокую полосу пропускания (1600 МГц), чем DDR2. Увеличенная эффективность при малом энергопотреблении позволит увеличить время работы батарей в ноутбуках. Специальная конструкция способствует быстрому охлаждению ОЗУ. Оперативная память Vixion c объемом 4 и 8 ГБ принадлежит типу DDR3, относится к ОЗУ третьего поколения с форм-фактором DIMM. Повысит работоспособность компьютера, позволит увеличить нагрузки без потери качества работы. Модуль с частотой 1600 МГц имеет пропускную способность PC3-12800s. Показатель напряжения питания ОЗУ Vixion составляет 1,35V. Память с таймингами 11-11-11-28. Характеристики:
| Тип памяти: | DDR3 |
| Форм-фактор памяти: | DIMM |
| Тактовая частота: | 1600 МГц |
| Напряжение питания: | 1,35V |
| Объем модуля памяти: | 4/8 ГБ |
| Пропускная способность: | PC3-12800s |
| Тайминги: | CAS Latency (CL) 11 RAS to CAS Delay (tRCD) 11 Row Precharge Delay (tRP) 11 Activate to Precharge Delay (tRAS) 28 |
| Гарантийный срок: | 36 месяцев |
Vixion DDR3 SO-DIMM подходит для ноутбуков, представлена в объемах 4 и 8 ГБ. С ней ваш ноутбук будет работать быстрее, даже при увеличенной нагрузке, а загрузка и сохранение только радовать. Частота — 1600 МГц, а пропускная способность PC3-12800s. Для работы потребуется все лишь 1,35V. Память с таймингами 11-11-11-28. Характеристики:
| Тип памяти: | DDR3 |
| Форм-фактор памяти: | SO-DIMM |
| Тактовая частота: | 1600 МГц |
| Напряжение питания: | 1,35V |
| Объем модуля памяти: | 4/8 ГБ |
| Пропускная способность: | PC3-12800s |
| Тайминги: | CAS Latency (CL) 11 RAS to CAS Delay (tRCD) 11 Row Precharge Delay (tRP) 11 Activate to Precharge Delay (tRAS) 28 |
| Гарантийный срок: | 36 месяцев |
Vixion DDR4 — четвёртое поколение оперативной памяти отличается повышенными частотными характеристиками и пониженным рабочим напряжением, увеличенное время автономной работы является значительным преимуществом, например, в работе с ноутбуком. ОЗУ повысит производительность и скорость работы компьютера. Специальная конструкция оперативной памяти хорошо отводит тепло, исключая перегрев во время повышенных нагрузок системы. Оперативная память Vixion DDR4 с форм-фактором DIMM повысит уровень производительности и скорости стационарного компьютера, подойдет геймерам и дизайнерам, видеографам. Оперативная память представлена в объемах 8 и 16 ГБ. ОЗУ с частотой 3200 МГц ускорит запуск и повысит отклик системы при работе в программах создания и редактирования фото или видео контента, пропускная способность PC4-25600s. Показатель напряжения питания ОЗУ Vixion составляет 1,35V. Память с таймингами 18-22-22-42. Характеристики:
| Тип памяти: | DDR4 |
| Форм-фактор памяти: | DIMM |
| Тактовая частота: | 3200 МГц |
| Напряжение питания: | 1,35V |
| Объем модуля памяти: | 8/16 ГБ |
| Пропускная способность: | PC4-25600s |
| Тайминги: | CAS Latency (CL) 18 RAS to CAS Delay (tRCD) 22 Row Precharge Delay (tRP) 22 Activate to Precharge Delay (tRAS) 42 |
| Гарантийный срок: | 36 месяцев |
Vixion DDR4 SO-DIMM ускорит запуск и повысит отклик системы ноутбуков, нетбуков, а иногда даже планшетов. Тип памяти поставляется в объеме 4, 8 и 16 ГБ. Работает с частотой 3200 МГц, пропускная способность PC4-25600s. Имеет низкое энергопотребление — 1, 2V. Память с таймингами 18-22-22-42. Характеристики:
| Тип памяти: | DDR4 |
| Форм-фактор памяти: | SO-DIMM |
| Тактовая частота: | 3200 МГц |
| Напряжение питания: | 1,2 V |
| Объем модуля памяти: | 4/8/16 ГБ |
| Пропускная способность: | PC4-25600s |
| Тайминги: | CAS Latency (CL) 18 RAS to CAS Delay (tRCD) 22 Row Precharge Delay (tRP) 22 Activate to Precharge Delay (tRAS) 42 |
| Гарантийный срок: | 36 месяцев |
Оперативная память DDR усовершенствованный вид SDRAM, который работает в два раза быстрее, передача данных в данном типе памяти осуществляется два раза за один цикл. Выбирайте оперативную память Vixion для оптимальной работы вашей системы. Вернуться к всем новостям