Разгоняем оперативную память. От теории к практике
Разгон оперативной памяти. То чувство, когда 1333 DDR3 = 2400 DDR.
Изменение частоты памяти не влияет на её реальную скорость. «Что за бред! Чем выше частота, тем лучше!» — возразите вы. Дочитайте статью до конца и я развею все ваши сомнения.
«Физика» работы памяти
Каждая микросхема памяти состоит из миллионов ячеек данных. Каждая ячейка, в свою очередь, может хранить только одно из двух возможных значений, либо 0, либо 1. Но это только на логическом уровне, на физическом же уровне ячейка представляет из себя конденсатор, запасающий определенный уровень заряда. Если уровень напряжения выше определенного значения, считаем, что в ячейке записана логическая единица, если ниже логический ноль. Таким образом, каждая ячейка памяти хранит 1 бит данных.
Как всегда, в бочке мёда, есть ложка дёгтя. У ячеек данных слишком короткая память, дело в том, что конденсаторы слишком быстро разряжаются, всего за несколько миллисекунд ячейка способна забыть всё. Что тут говорить, даже при чтении данных расходуется заряд. Но помощь приходит контроллер.
Всем этим оркестром ячеек дирижирует контроллер. У микроконтроллера в арсенале есть всего 2 инструмента: вольтметр и «зарядник». Контроллер получает питание с материнской платы и именно «мамка» решает на каком напряжении будет работать память. Именно этим напряжением контроллер заряжает ячейки с логической единицей, при логическом же нуле контроллер разряжает ячейку.
Удерживаем данные в памяти
Как я писал выше, данные нельзя хранить просто так, все записанное будет потеряно в считанные миллисекунды. Умные головы придумали как решить эту проблему и научили контроллер постоянно сканировать ячейки и подзаряжать их. Контроллер памяти проходит все ячейки памяти сотни раз в секунду, считывая значения и записывая в ячейки эти же самые значения, тем самым подзаряжает разрядившиеся ячейки.
Если перестать подзаряжать ячейки памяти, данные будут потеряны. Именно поэтому оперативную память называют энергозависимой.
Разгон оперативной памяти
Все операции в оперативной памяти зависят от:
- частоты
- таймингов
- напряжения
Тестовый образец
Цифра прописанная на планке оперативной памяти не является тактовой частотой. Реальной частотой будет половина от указанной, DDR (Double Data Rate — удвоенная скорость передачи данных). Поэтому память DDR-400 работает на частоте 200 МГц, DDR2-800 на частоте 400 МГц, а DDR3-1333 на 666 МГц и т.д.
Итак, если на нашей планке оперативной памяти стоит метка 1600 МГц, значит оперативная память работает на частоте 800 МГц и может выполнить ровно 800 000 000 тактов за 1 секунду. А один такт будет длиться 1/800 000 000 = 125 нс (наносекунд)
Физические ограничения
Мы подобрались к главному в разгоне, а именно физическому ограничению, контроллер просто не успеет зарядить ячейку памяти за 1 шаг, на это требуется потратить времени не меньше, чем определенного физическими законам. А то, что нельзя сделать за 1 шаг, делается за несколько.
физическое ограничение памяти
Например, в нашем случае, требуется потратить около 7 шагов на зарядку. Таким образом, зарядка ячейки длится 875 нс. Полное кол-во шагов, за которые можно выполнить одну операцию, буть то чтение, запись, стирание или зарядка, называют таймингами.
Стоит оговориться и сказать. Есть способ зарядить ячейку быстрее, нужно заряжать её большим напряжением. Если мы увеличиваем базовое напряжение работы оперативной памяти, то получаем преимущество по времени зарядки и следовательно можем уменьшить тайминг, тем самым увеличив скорость.
Итак, мы знает, что частота памяти это количество операций, которое может совершить контроллер за 1 секунду, в то время как тайминги это количество шагов контроллера, требуемое для полного завершения 1 действия.
В оперативной памяти реализовано множество таймингов, каких именно в рамках статьи не имеет особо значения. Важно лишь одно, чем ниже тайминги, тем быстрее работает память.
Именно увеличивая частоты, исключительно в сочетании с таймингами можно добиться увеличения производительности.
Стандартные профили таймингов
Качественная материнская плата даёт массу возможностей по оверклокингу. В оперативную память же встроены стандартные профили таймингов, оперативная память точно знает какие тайминги нужно выставлять с предлагаемыми частотами и настойчиво рекомендует «мамке» использовать именно их. Войдя в BIOS в раздел оверклокинга оперативной памяти, первое за что хочется подергать, это частота оперативной памяти. При изменении частоты автоматически пересчитываются таймтинги. По факту вы получаете примерно ту же производительность, но для другой частоты. Кроме того, матплата старается держать тайминги в стабильной зоне работы.
Тайминги наглядно
Продолжаем рассматривать тестовый образец. Как будет вести себя память после разгона?
| Частота памяти, Mhz |
Тактов за секунду, шт |
Время 1 таминга, нс |
Таймингов до стабильной зоны, шт |
Всего затрачено времени, нс |
|---|---|---|---|---|
| 2400 | 1 200 000 000 | 83 | 11 | 913 |
| 1600 | 800 000 000 | 125 | 7 | 875 |
| 1333 | 666 500 000 | 150 | 6 | 900 |
| 1066 | 533 000 000 | 180 | 5 | 900 |
| 800 | 400 000 000 | 250 | 4 | 1000 |
График таймингов, в зависимости от частоты. Красным обозначено минимальное количество таймингов до преодоления физического ограничения.
Как видим из таблицы и графика, поднимая частоту, нам необходимо увеличивать тайминги, а вот время затрачиваемое на операцию практически не изменяется, как и не растёт скорость.
Как видим, средняя оперативная память с частотой 800 будет равна по производительности оперативной памяти с частотой 2400. На что действительно стоит обратить внимание, так это качество материалов, которые применил производитель. Более качественные модули дадут возможность выставлять более низкие тайминги, а следовательно большее кол-во полезных операций.
Получается нельзя заставить работать память быстрее?
Можно, для это придётся увеличить напряжение. Повышенное напряжение быстрее заряжает ячейки памяти и тем самым зона физических ограничений уменьшается, следовательно можно уменьшить тайминги.
Изменяя частоту памяти никак не увеличить скорость?
Да, мои поздравления, теперь вы всё поняли! Меняя только частоту, скорость не увеличить. Для увеличения производительности дополнительно следует уменьшать тайминги и увеличивать напряжение.
Упсс.. что-то пошло не так, кажется, мы слишком занизили тайминги.
Тут могли располагаться шибко умные слова, великие мысли учёных или изречения скромных блоггеров «jcup.ru». Душераздирающий текст, что заставит прослезиться палача с каменным сердцем. Текст, прочтённый всего лишь раз, способный изменить читателя навсегда. Но, на самом деле, нам нужно было чем-то занять блок внизу.
Наш RSS-канал 2024 © blog.FURDA
Как выставить скорость DDR3 = 1600?
Изначально поставил в систему память 1333 и работал пару недель на 1333, но потом заменил память на 1600. Включаю ПК — скорость 1333. В разделе «разгона памяти» есть режимы: Автоматически, Вручную или XMP (в нем сохранен профиль с частотой 1600 и таймингами 9 9 9 24). Напряжение 1.5V.
Автоматически — ставит 1333
Вручную выставляю 1600 — перезагрузка и черный экран. Принудительное выключение/включение — сообщение в стиле «Разгон не удался, жми F1 чтоб попасть в BIOS»
Загружаю профиль XMP — аналогично.
Нажимаю кнопку «Mem OK!», которая по идее должна выставлять «максимально безопасные параметры» — выставляет 1333, что неудивительно.
Подскажите как выставить скорость ОЗУ = 1600 или скажите, почему этого делать нельзя/не стоит.
PS^ Видеопамять использую встроенную, если это имеет значение.
- Вопрос задан более трёх лет назад
- 41481 просмотр
Разгон бюджетных модулей памяти Hynix и Samsung объемом 4 Гбайта
Тестирование частотного потенциала четырех планок DDR3: предельный разгон, зависимость частоты от задержек и напряжения.
16 февраля 2012, четверг 00:00
S_A_V для раздела Лаборатория
Страницы материала
Вступление, характеристики, упаковка и внешний вид: Hynix Original (Hynix H5TQ2G83CFR-H9C), Samsung Original (SEC K4B2G0846C-HCH9)
реклама
Оглавление
- Вступление
- Характеристики
- Упаковка и внешний вид
- Тестовый стенд и ПО
- Методика тестирования
- Результаты разгона
- Заключение
Вступление
Наиболее востребованными на рынке оперативной памяти были и остаются бюджетные планки. И не только потому, что для сборки большинства компьютеров используются компоненты среднего ценового уровня, в который высокочастотная память просто не вписывается ни по цене, ни по характеристикам. Из-за ограничений, накладываемых контроллером памяти в ЦП или северном мосту, для разгона DDR3 до частот выше 2000-2200 МГц подойдет далеко не каждый процессор и материнская плата. На данный момент выбор платформы для работы такой памяти ограничен всего пятью вариантами:
- Socket AM3+ (AMD Bulldozer);
- Socket FM1 (AMD Llano);
- Socket 1156 (Core i7-8xx Lynnfield);
- Socket 2011 (Sandy Bridge-E);
- Socket 1366 (Core i7-9xx Gulftown).
Возможно, очень скоро к этому списку добавятся Ivy Bridge, при условии, что для них окажутся работоспособными множители для частоты памяти выше 1:8.
Но главная причина выбора в пользу бюджетной памяти в том, что даже при сборке более-менее мощной конфигурации предпочтительнее выделить больше средств на видеокарту, процессор или даже SSD-накопитель.
Значительное снижение цен на оперативную память привело к смещению спроса в сторону модулей по 4 гигабайта. На данный момент разница в цене между топовой и бюджетной памятью такого объема может отличаться в несколько раз – от $40 за пару модулей по 4 Гбайта с номиналом 1333 МГц до $499 за комплект Corsair Dominator GTX8, работающий на частоте 2400 МГц.
реклама
Сократить и без того несущественную разницу между дорогой и дешевой памятью (что сказывается на производительности компьютера в целом) можно при помощи разгона и выбора модулей, построенных с использованием «правильных» микросхем. Вероятность того, что среди дешевой памяти вам попадется та, что сможет работать на 2400 МГц с таймингами 9-11-11-28 (особенно в конфигурации из четырех модулей общим объемом 16 гигабайт), очень невысока. Но, тем не менее, в большинстве случаев смело можно рассчитывать на разгон до стандартной (для массовой ныне платформы Sandy Bridge) частоты 2133 МГц.
Недавно в лаборатории уже было протестировано несколько комплектов недорогой памяти разных производителей. Но, к сожалению, среди доступных на тот момент модулей не удалось найти Hynix и Samsung, хорошо известных участникам нашего форума благодаря своему отличному разгонному потенциалу. Поэтому было решено провести еще одно тестирование, включив в него планки этих производителей. Из него вы узнаете о разгоне оригинальных планок памяти Samsung на микросхемах K4B2G0846C-HCH9, K4B2G0846D-BCK0, K4B2G0846D-HCK0 и Hynix на микросхемах H5TQ2G83CFR-H9C, а также о том, как они реагируют на различные сочетания таймингов и повышение напряжения.
Характеристики
Характеристики модулей памяти перечислены в таблице:
| Производитель модуля | Hynix | Samsung | Samsung | Samsung |
| Маркировка модуля | HMT351U6CFR-H9 | M378B5273CH0-CH9 | M378B5273DH0-CK0 | M378B5273DH0-CK0 |
| Маркировка микросхем | H5TQ2G83CFR-H9C | K4B2G0846C-HCH9 | K4B2G0846D-BCK0 | K4B2G0846D-HCK0 |
| Объём, Мбайт | 4096 | 4096 | 4096 | 4096 |
| Тип памяти | DDR3-1333 | DDR3-1333 | DDR3-1600 | DDR3-1600 |
| Поддержка ECC | Нет | Нет | Нет | Нет |
| Рейтинг | PC3-10600 | PC3-10600 | PC3-12800 | PC3-12800 |
| Частота, МГц | 1333 | 1333 | 1600 | 1600 |
| Тайминги | 9-9-9-24 | 9-9-9-24 | 11-11-11-28 | 11-11-11-28 |
| Напряжение, В | 1.50 | 1.50 | 1.50 | 1.50 |
| Профили EPP/XMP/BEMP | Нет | Нет | Нет | Нет |
| Цена, руб. * | 630 | 700 | 860 | 860 |
* В таблице указана цена на модули памяти актуальная на момент проведения тестирования
Упаковка и внешний вид
Все протестированные модули поставлялись в антистатическом пакетике без какой-либо дополнительной комплектации. Экономия на упаковке – один из способов уменьшить конечную розничную цену для покупателя. Даже если изначально производителем памяти и были предусмотрены какие-то пластиковые коробочки, то от них вполне могли избавиться, чтобы сократить затраты на логистику. Ничего страшного в этом нет, но стоит знать, что при таком способе транспортировки часть модулей приезжает «битыми». Поэтому при получении их в магазине необходим внимательный осмотр на отсутствие повреждений. Также не лишним будет взять с собой в магазин упаковку от какой-либо другой памяти, чтобы не повредить только что купленную по дороге домой.
реклама
Кстати, одна из взятых на тестирование планок оказалась со сколотыми элементами, и было потрачено дополнительное время на её замену.
Начнем обзор с модулей Hynix, интересных, прежде всего тем, что на данный момент микросхемы именно этого производителя используются в большинстве дорогих высокочастотных комплектов памяти, состоящих из планок объемом 4 Гбайта.
Hynix Original HMT351U6CFR-H9 (Hynix H5TQ2G83CFR-H9C)
Модуль памяти производства Hynix выполнен на печатной плате синего цвета. Объем — 4096 Мбайт, он набран шестнадцатью микросхемами с плотностью два гигабита, которые установлены по восемь с каждой стороны.
На наклейке приведена маркировка планки (part number) HMT351U6CFR-H9, её объем, номинальная частота и неделя производства (38 неделя 2011 года):
Компания Hynix является одним из крупнейших производителей полупроводниковых компонентов, поэтому для модулей памяти использует микросхемы собственного производства.
В данном случае это микросхемы DDR3 памяти Hynix H5TQ2G83CFR-H9C , выпущенные на 35 неделе 2011 года. Они рассчитаны на работу с частотой 1333 МГц, таймингами 9-9-9 и напряжением 1.50 В. Документацию к ним в формате PDF можно скачать с сайта производителя ( 218 Кбайт ).
Дамп её содержимого, полученный при помощи SPDTool v0.6.3: hynix_hmt351u6cfr-h9.spd.
Модуль основан на PCB ST-104B:
реклама
По надписи «Hynix Korea» на печатной плате можно было бы предположить, что она сделана на заводе Hynix в Корее, но это не так. Как вы увидите чуть ниже, некоторые разновидности модулей памяти Samsung тоже используют плату ST-104B со схожим дизайном, но с надписью «Samsung». Вероятно, и Samsung, и Hynix заказывают изготовление PCB для своих модулей памяти у одного и того же стороннего производителя, а далее уже получают их с отличающимися маркировками. А затем на собственных заводах в Корее собирают модуль, устанавливая на него свои микросхемы.
Переходим к обзору памяти Samsung и начнем с самой дешевой модели:
Samsung Original M378B5273CH0-CH9 (SEC K4B2G0846C-HCH9)
Компания Samsung использует зеленый цвет для своих модулей. Плотность микросхем стандартная (2 Гбит), поэтому их количество и размещение не отличается от других планок объемом 4 Гбайта.
Наклейка на модуле по форме и набору информации на ней такая же, как и у Hynix. Приводится маркировка M378B5273CH0-CH9, объем модуля, номинальная частота и неделя производства (51 неделя 2011 года):
Компания Samsung (аналогично Hynix) является производителем микросхем памяти и использует их для изготовления собственной продукции.
Микросхемы SEC K4B2G0846C-HCH9 выпущены на 49 неделе 2011 года. Штатные характеристики стандартные – частота 1333 МГц, тайминги 9-9-9 и напряжение 1.50 В. Документацию в формате PDF можно скачать с сайта производителя ( 1643 Кбайт ).
Дамп её содержимого, полученный при помощи SPDTool v0.6.3: samsung_k4b2g0846c-hch9.spd.
Используется PCB с маркировкой ST-104B, как и у модулей Hynix, но с отличающимся дизайном:
Следующие две разновидности модулей памяти Samsung незначительно дороже уже рассмотренных выше, но зато они и рассчитаны на чуть более высокую частоту 1600 МГц.
Как разогнать память ddr3 с 1333 до 1600
Железных Дел Мастер
Сообщения: 24421
Благодарности: 4466
| Конфигурация компьютера |  |
| Процессор: Ryzen R5 3600 @ 4,2GHz w Zalman CNPS 10x Performa | |
| Материнская плата: Asrock (AB350 Pro4) | |
| Память: 16Gb Crucial (2 x 8Gb DDR4-3000 Ballistix Sport LT Grey (BLS8G4D30AESBK)) @3533MHz (16-18-16-30) & 1.37V | |
| HDD: Samsung SSD 860 Evo 250Gb M.2 (MZ-N6E250BW); WD HDD 1Tb (WD10EARS-00Y5B1); TOSHIBA 2Tb (MK2002TSKB); Samsung Portable 500GB (MU-PA500B/WW) | |
| Видеокарта: 12Gb Palit RTX 3060 (NE63060T19K9-190AD) | |
| Блок питания: Seasonic 620W M12II-620 Evo Bronze (SS-620GM2) | |
| CD/DVD: LG (HL-DT-ST BDDVDRW CH10LS20) | |
| Монитор: Dell 24″ (2408WFP) | |
| Ноутбук/нетбук: Asus E402M | |
| ОС: Win10 x64 Pro | |
| Прочее: APC Back-UPS RS 1000 || Logitech MK270|| Logitech c310|| Mikrotik 952Ui-5ac2nD || Creative Inspire 5.1 Digitall 5700 || LG 47LM580T |
Dima_Archi, данная память содержит профиль для работы в режиме 2000. Мат. плата ничего насчет профилей не умеет? Или не искал?
>
Цитата Dima_Archi:
| разогнать память с 1333 до 1600 » |
а смысл?
Разгоняй шиной — вместе с процессором — эффективней будет в разы, чем просто выставить в БИОСе памяти режим 1600.
Для отключения данного рекламного блока вам необходимо зарегистрироваться или войти с учетной записью социальной сети.
Сообщения: 56
Благодарности: 0
Изображения
так расскажи как, инфа проца на фото
Железных Дел Мастер
Сообщения: 24421
Благодарности: 4466
| Конфигурация компьютера | |
| Процессор: Ryzen R5 3600 @ 4,2GHz w Zalman CNPS 10x Performa | |
| Материнская плата: Asrock (AB350 Pro4) | |
| Память: 16Gb Crucial (2 x 8Gb DDR4-3000 Ballistix Sport LT Grey (BLS8G4D30AESBK)) @3533MHz (16-18-16-30) & 1.37V | |
| HDD: Samsung SSD 860 Evo 250Gb M.2 (MZ-N6E250BW); WD HDD 1Tb (WD10EARS-00Y5B1); TOSHIBA 2Tb (MK2002TSKB); Samsung Portable 500GB (MU-PA500B/WW) | |
| Видеокарта: 12Gb Palit RTX 3060 (NE63060T19K9-190AD) | |
| Блок питания: Seasonic 620W M12II-620 Evo Bronze (SS-620GM2) | |
| CD/DVD: LG (HL-DT-ST BDDVDRW CH10LS20) | |
| Монитор: Dell 24″ (2408WFP) | |
| Ноутбук/нетбук: Asus E402M | |
| ОС: Win10 x64 Pro | |
| Прочее: APC Back-UPS RS 1000 || Logitech MK270|| Logitech c310|| Mikrotik 952Ui-5ac2nD || Creative Inspire 5.1 Digitall 5700 || LG 47LM580T |
Цитата Dima_Archi:
| так расскажи как » |
т.е. спросить у яндекса нечто типа «GA-MA770T-UD3 разгон процессора» — это требует трех высших образований и четырех специальных? )
Я бы начал с попытки разлочить проц.
Последний раз редактировалось ShaddyR, 28-03-2011 в 19:56 .
Сообщения: 56
Благодарности: 0
Цитата ShaddyR:
| т.е. спросить у яндекса нечто типа «GA-MA770T-UD3 разгон процессора» — это требует трех высших образований и четырех специальных? ) » |
проц то я разгонял, с 3.1 до 3.4, дальше уже что-то нестабильно было ) а эти гугловские раздупления ничего не дадут, или дадут не то что нужно, объясни просто несколькими словами и так что бы я не запорол биос или что-то еще
Сообщения: 2196
Благодарности: 444
чтото мало разогнал 3,6 как минимум должен держать,прибавь на ядре напряжение
Железных Дел Мастер
Сообщения: 24421
Благодарности: 4466
| Конфигурация компьютера | |
| Процессор: Ryzen R5 3600 @ 4,2GHz w Zalman CNPS 10x Performa | |
| Материнская плата: Asrock (AB350 Pro4) | |
| Память: 16Gb Crucial (2 x 8Gb DDR4-3000 Ballistix Sport LT Grey (BLS8G4D30AESBK)) @3533MHz (16-18-16-30) & 1.37V | |
| HDD: Samsung SSD 860 Evo 250Gb M.2 (MZ-N6E250BW); WD HDD 1Tb (WD10EARS-00Y5B1); TOSHIBA 2Tb (MK2002TSKB); Samsung Portable 500GB (MU-PA500B/WW) | |
| Видеокарта: 12Gb Palit RTX 3060 (NE63060T19K9-190AD) | |
| Блок питания: Seasonic 620W M12II-620 Evo Bronze (SS-620GM2) | |
| CD/DVD: LG (HL-DT-ST BDDVDRW CH10LS20) | |
| Монитор: Dell 24″ (2408WFP) | |
| Ноутбук/нетбук: Asus E402M | |
| ОС: Win10 x64 Pro | |
| Прочее: APC Back-UPS RS 1000 || Logitech MK270|| Logitech c310|| Mikrotik 952Ui-5ac2nD || Creative Inspire 5.1 Digitall 5700 || LG 47LM580T |
Цитата Dima_Archi:
| так что бы я не запорол биос » |
Современные платы весьма интеллектуальны по части отката к работоспособным настройкам при сбое. Мало того, любая мат. плата настольного компутера имеет возможность сброса настроек на заводские.
>
Цитата Dima_Archi:
тебе запороть при всем желании не получится.
>
Цитата Dima_Archi:
| эти гугловские раздупления ничего не дадут » |
тогда и я ничем помочь не смогу:
Цитата Dima_Archi:
| несколькими словами » |
описать все нюансы разгона не получится.
Что именно тебе не понятно в описаниях методики разгона именно на твоей плате? Или просто думать лень?
Сообщения: 12
Благодарности: 1
Процессор можно разгонять или по множителью, или по шине. так как ваш процессор не с разблокированым множителем гоните по шине.
для начала, на официальном сайте, узнайте номинальное напряжение на ядро. Выставте в биосе, и увеличивайте частоту шины, пока комп не начнет зависать. ну и конечноже смотрите на температуру. Если будет мало то:
Посмотрите на оф. сайте, максимально допустимое напряжение на ядро. поднимите в биосе напряжение и опять розганяйте пока не зависнет. (проверять можно праймом 95, или другими утилитами, их сейчас много)
После разгона поставте память на 1600, и посмотрите, будет ли она работать? если нет оставтье на 1333 и постарайтесь установить минимальные тайминги.
Железных Дел Мастер
Сообщения: 24421
Благодарности: 4466
| Конфигурация компьютера | |
| Процессор: Ryzen R5 3600 @ 4,2GHz w Zalman CNPS 10x Performa | |
| Материнская плата: Asrock (AB350 Pro4) | |
| Память: 16Gb Crucial (2 x 8Gb DDR4-3000 Ballistix Sport LT Grey (BLS8G4D30AESBK)) @3533MHz (16-18-16-30) & 1.37V | |
| HDD: Samsung SSD 860 Evo 250Gb M.2 (MZ-N6E250BW); WD HDD 1Tb (WD10EARS-00Y5B1); TOSHIBA 2Tb (MK2002TSKB); Samsung Portable 500GB (MU-PA500B/WW) | |
| Видеокарта: 12Gb Palit RTX 3060 (NE63060T19K9-190AD) | |
| Блок питания: Seasonic 620W M12II-620 Evo Bronze (SS-620GM2) | |
| CD/DVD: LG (HL-DT-ST BDDVDRW CH10LS20) | |
| Монитор: Dell 24″ (2408WFP) | |
| Ноутбук/нетбук: Asus E402M | |
| ОС: Win10 x64 Pro | |
| Прочее: APC Back-UPS RS 1000 || Logitech MK270|| Logitech c310|| Mikrotik 952Ui-5ac2nD || Creative Inspire 5.1 Digitall 5700 || LG 47LM580T |
Цитата serg450453:
| После разгона поставте память на 1600, и » |
получите нестарт системы — в результате озвученного действия с учетом разгона она должна будет стартовать на запредельных для нее частотах.